RUE002N02TL
MOSFET N-CH 20V .2A EMT3
Osa numero
RUE002N02TL
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Not For New Designs
Pakkaus
Digi-Reel®
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
SC-75, SOT-416
Toimittajan laitepaketti
EMT3
Tehonhäviö (maks.)
150mW (Ta)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
20V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
1.2 Ohm @ 200mA, 2.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
-
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
25pF @ 10V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 2.5V
Vgs (max)
±8V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 17915 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta RUE002N02TL
RUE002N02TL Elektroniset komponentit
RUE002N02TL Myynti
RUE002N02TL Toimittaja
RUE002N02TL Jakelija
RUE002N02TL Tietotaulukko
RUE002N02TL Kuvat
RUE002N02TL Hinta
RUE002N02TL Tarjous
RUE002N02TL Alin hinta
RUE002N02TL Hae
RUE002N02TL Ostaminen
RUE002N02TL Chip