RW1C026ZPT2CR
MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6
Osa numero
RW1C026ZPT2CR
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Not For New Designs
Pakkaus
Cut Tape (CT)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
SOT-563, SOT-666
Toimittajan laitepaketti
6-WEMT
Tehonhäviö (maks.)
700mW (Ta)
FET-tyyppi
P-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
20V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
70 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1250pF @ 10V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Vgs (max)
±10V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 11369 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta RW1C026ZPT2CR
RW1C026ZPT2CR Elektroniset komponentit
RW1C026ZPT2CR Myynti
RW1C026ZPT2CR Toimittaja
RW1C026ZPT2CR Jakelija
RW1C026ZPT2CR Tietotaulukko
RW1C026ZPT2CR Kuvat
RW1C026ZPT2CR Hinta
RW1C026ZPT2CR Tarjous
RW1C026ZPT2CR Alin hinta
RW1C026ZPT2CR Hae
RW1C026ZPT2CR Ostaminen
RW1C026ZPT2CR Chip