DKI10299
MOSFET N-CH 100V 28A TO-252
Osa numero
DKI10299
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Active
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Toimittajan laitepaketti
TO-252
Tehonhäviö (maks.)
47W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 14.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 650µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
35.8nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2540pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 40897 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta DKI10299
DKI10299 Elektroniset komponentit
DKI10299 Myynti
DKI10299 Toimittaja
DKI10299 Jakelija
DKI10299 Tietotaulukko
DKI10299 Kuvat
DKI10299 Hinta
DKI10299 Tarjous
DKI10299 Alin hinta
DKI10299 Hae
DKI10299 Ostaminen
DKI10299 Chip