STB100N6F7
MOSFET N-CH 60V 100A F7 D2PAK
Osa numero
STB100N6F7
Valmistaja/merkki
Sarja
STripFET™ F7
Osan tila
Active
Pakkaus
Digi-Reel®
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Toimittajan laitepaketti
D2PAK
Tehonhäviö (maks.)
125W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
5.6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1980pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 40606 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta STB100N6F7
STB100N6F7 Elektroniset komponentit
STB100N6F7 Myynti
STB100N6F7 Toimittaja
STB100N6F7 Jakelija
STB100N6F7 Tietotaulukko
STB100N6F7 Kuvat
STB100N6F7 Hinta
STB100N6F7 Tarjous
STB100N6F7 Alin hinta
STB100N6F7 Hae
STB100N6F7 Ostaminen
STB100N6F7 Chip