STH310N10F7-2
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Osa numero
STH310N10F7-2
Valmistaja/merkki
Sarja
DeepGATE™, STripFET™ VII
Osan tila
Active
Pakkaus
Digi-Reel®
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Toimittajan laitepaketti
H2Pak-2
Tehonhäviö (maks.)
315W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
2.5 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
12800pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 33081 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta STH310N10F7-2
STH310N10F7-2 Elektroniset komponentit
STH310N10F7-2 Myynti
STH310N10F7-2 Toimittaja
STH310N10F7-2 Jakelija
STH310N10F7-2 Tietotaulukko
STH310N10F7-2 Kuvat
STH310N10F7-2 Hinta
STH310N10F7-2 Tarjous
STH310N10F7-2 Alin hinta
STH310N10F7-2 Hae
STH310N10F7-2 Ostaminen
STH310N10F7-2 Chip