STH400N4F6-6
MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6
Osa numero
STH400N4F6-6
Valmistaja/merkki
Sarja
DeepGATE™, STripFET™ VI
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Cut Tape (CT)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Toimittajan laitepaketti
H2PAK-6
Tehonhäviö (maks.)
300W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
40V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
1.15 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
404nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
20500pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 5878 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta STH400N4F6-6
STH400N4F6-6 Elektroniset komponentit
STH400N4F6-6 Myynti
STH400N4F6-6 Toimittaja
STH400N4F6-6 Jakelija
STH400N4F6-6 Tietotaulukko
STH400N4F6-6 Kuvat
STH400N4F6-6 Hinta
STH400N4F6-6 Tarjous
STH400N4F6-6 Alin hinta
STH400N4F6-6 Hae
STH400N4F6-6 Ostaminen
STH400N4F6-6 Chip