STI40N65M2
MOSFET N-CH 650V 32A I2PAK
Osa numero
STI40N65M2
Valmistaja/merkki
Sarja
MDmesh™ M2
Osan tila
Active
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Toimittajan laitepaketti
I2PAK
Tehonhäviö (maks.)
250W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
650V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
99 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
56.5nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2355pF @ 100V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±25V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 45741 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta STI40N65M2
STI40N65M2 Elektroniset komponentit
STI40N65M2 Myynti
STI40N65M2 Toimittaja
STI40N65M2 Jakelija
STI40N65M2 Tietotaulukko
STI40N65M2 Kuvat
STI40N65M2 Hinta
STI40N65M2 Tarjous
STI40N65M2 Alin hinta
STI40N65M2 Hae
STI40N65M2 Ostaminen
STI40N65M2 Chip