STP200N3LL
N-CHANNEL 30 V, 2 MOHM TYP., 120
Osa numero
STP200N3LL
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Active
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-220-3
Toimittajan laitepaketti
TO-220
Tehonhäviö (maks.)
176.5W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
2.4 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
53nC @ 4.5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
5200pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 26385 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta STP200N3LL
STP200N3LL Elektroniset komponentit
STP200N3LL Myynti
STP200N3LL Toimittaja
STP200N3LL Jakelija
STP200N3LL Tietotaulukko
STP200N3LL Kuvat
STP200N3LL Hinta
STP200N3LL Tarjous
STP200N3LL Alin hinta
STP200N3LL Hae
STP200N3LL Ostaminen
STP200N3LL Chip