STP24N65M2
MOSFET N-CH 650V 16A TO-220AB
Osa numero
STP24N65M2
Valmistaja/merkki
Sarja
MDmesh™ M2
Osan tila
Active
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-220-3
Toimittajan laitepaketti
TO-220
Tehonhäviö (maks.)
150W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
650V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
230 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1060pF @ 100V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±25V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 22559 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta STP24N65M2
STP24N65M2 Elektroniset komponentit
STP24N65M2 Myynti
STP24N65M2 Toimittaja
STP24N65M2 Jakelija
STP24N65M2 Tietotaulukko
STP24N65M2 Kuvat
STP24N65M2 Hinta
STP24N65M2 Tarjous
STP24N65M2 Alin hinta
STP24N65M2 Hae
STP24N65M2 Ostaminen
STP24N65M2 Chip