STS30N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
Osa numero
STS30N3LLH6
Valmistaja/merkki
Sarja
DeepGATE™, STripFET™ VI
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Toimittajan laitepaketti
8-SO
Tehonhäviö (maks.)
2.7W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
2.4 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 4.5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
4040pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 25373 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta STS30N3LLH6
STS30N3LLH6 Elektroniset komponentit
STS30N3LLH6 Myynti
STS30N3LLH6 Toimittaja
STS30N3LLH6 Jakelija
STS30N3LLH6 Tietotaulukko
STS30N3LLH6 Kuvat
STS30N3LLH6 Hinta
STS30N3LLH6 Tarjous
STS30N3LLH6 Alin hinta
STS30N3LLH6 Hae
STS30N3LLH6 Ostaminen
STS30N3LLH6 Chip