STV200N55F3
MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10
Osa numero
STV200N55F3
Valmistaja/merkki
Sarja
STripFET™
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Digi-Reel®
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Toimittajan laitepaketti
10-PowerSO
Tehonhäviö (maks.)
300W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
55V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
200A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
2.5 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
100nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
6800pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 5567 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta STV200N55F3
STV200N55F3 Elektroniset komponentit
STV200N55F3 Myynti
STV200N55F3 Toimittaja
STV200N55F3 Jakelija
STV200N55F3 Tietotaulukko
STV200N55F3 Kuvat
STV200N55F3 Hinta
STV200N55F3 Tarjous
STV200N55F3 Alin hinta
STV200N55F3 Hae
STV200N55F3 Ostaminen
STV200N55F3 Chip