STW30N65M5
MOSFET N-CH 650V 22A TO-247
Osa numero
STW30N65M5
Valmistaja/merkki
Sarja
MDmesh™ V
Osan tila
Active
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-247-3
Toimittajan laitepaketti
TO-247-3
Tehonhäviö (maks.)
140W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
650V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
139 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
64nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2880pF @ 100V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±25V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 53887 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta STW30N65M5
STW30N65M5 Elektroniset komponentit
STW30N65M5 Myynti
STW30N65M5 Toimittaja
STW30N65M5 Jakelija
STW30N65M5 Tietotaulukko
STW30N65M5 Kuvat
STW30N65M5 Hinta
STW30N65M5 Tarjous
STW30N65M5 Alin hinta
STW30N65M5 Hae
STW30N65M5 Ostaminen
STW30N65M5 Chip