STW60NM50N
MOSFET N CH 500V 68A TO-247
Osa numero
STW60NM50N
Valmistaja/merkki
Sarja
MDmesh™ II
Osan tila
Active
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-247-3
Toimittajan laitepaketti
TO-247
Tehonhäviö (maks.)
446W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
500V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
68A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
43 mOhm @ 34A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
178nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
5790pF @ 100V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±25V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 48162 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta STW60NM50N
STW60NM50N Elektroniset komponentit
STW60NM50N Myynti
STW60NM50N Toimittaja
STW60NM50N Jakelija
STW60NM50N Tietotaulukko
STW60NM50N Kuvat
STW60NM50N Hinta
STW60NM50N Tarjous
STW60NM50N Alin hinta
STW60NM50N Hae
STW60NM50N Ostaminen
STW60NM50N Chip