STW70N10F4
MOSFET N-CH 100V 65A TO-247
Osa numero
STW70N10F4
Valmistaja/merkki
Sarja
DeepGATE™, STripFET™
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-247-3
Toimittajan laitepaketti
TO-247-3
Tehonhäviö (maks.)
150W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
19.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
85nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
5800pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 24438 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta STW70N10F4
STW70N10F4 Elektroniset komponentit
STW70N10F4 Myynti
STW70N10F4 Toimittaja
STW70N10F4 Jakelija
STW70N10F4 Tietotaulukko
STW70N10F4 Kuvat
STW70N10F4 Hinta
STW70N10F4 Tarjous
STW70N10F4 Alin hinta
STW70N10F4 Hae
STW70N10F4 Ostaminen
STW70N10F4 Chip