Osta Taiwan Semiconductor Corporation TSM300NB06CR 60V 27A 30MO N-CHANNEL POWER MOS

Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.

Katso lisätietoja DataSheets

TSM300NB06CR

60V 27A 30MO N-CHANNEL POWER MOS

Osa numero

TSM300NB06CR

Valmistaja/merkki

Taiwan Semiconductor Corporation

Osan tila

Active

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 175°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Paketti / kotelo

8-PowerTDFN

Toimittajan laitepaketti

8-PDFN (5x6)

Tehonhäviö (maks.)

3.1W (Ta), 56W (Tc)

FET-tyyppi

N-Channel

Tyhjennys lähdejännite (Vdss)

60V

Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C

6A (Ta), 27A (Tc)

Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs

30 mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

1110pF @ 30V

Vgs (max)

±20V

Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Pyydä tarjous

Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.

Varastossa 9571 PCS

Yhteystiedot

Liittyvät tuotteet

TSM300NB06CR

60V 27A 30MO N-CHANNEL POWER MOS

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM300NB06CR

60V 27A 30MO N-CHANNEL POWER MOS

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM300NB06CR RLG