Osta Toshiba Semiconductor and Storage SSM6H19NU,LF MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN

Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.

Katso lisätietoja DataSheets

SSM6H19NU,LF

MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN

Osa numero

SSM6H19NU,LF

Valmistaja/merkki

Toshiba Semiconductor and Storage

Sarja

U-MOSVII-H

Osan tila

Active

Pakkaus

Tape & Reel (TR)

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Käyttölämpötila

150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Paketti / kotelo

6-UDFN Exposed Pad

Toimittajan laitepaketti

6-UDFN (2x2)

Tehonhäviö (maks.)

1W (Ta)

FET-tyyppi

N-Channel

FET-ominaisuus

Tyhjennys lähdejännite (Vdss)

40V

Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C

2A (Ta)

Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs

185 mOhm @ 1A, 8V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.2V @ 1mA

Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs

2.2nC @ 4.2V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

130pF @ 10V

Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 8V

Vgs (max)

±12V

Pyydä tarjous

Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.

Varastossa 5561 PCS

Yhteystiedot

Liittyvät tuotteet

SSM6322ACPZ-R2