Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
TJ80S04M3L(T6L1,NQ

TJ80S04M3L(T6L1,NQ

MOSFET P-CH 40V 80A DPAK-3
Osa numero
TJ80S04M3L(T6L1,NQ
Sarja
U-MOSVI
Osan tila
Active
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Toimittajan laitepaketti
DPAK+
Tehonhäviö (maks.)
100W (Tc)
FET-tyyppi
P-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
40V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
80A (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
5.2 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
158nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
7770pF @ 10V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Vgs (max)
+10V, -20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 43794 PCS
Yhteystiedot
Avainsanat aiheesta TJ80S04M3L(T6L1,NQ
TJ80S04M3L(T6L1,NQ Elektroniset komponentit
TJ80S04M3L(T6L1,NQ Myynti
TJ80S04M3L(T6L1,NQ Toimittaja
TJ80S04M3L(T6L1,NQ Jakelija
TJ80S04M3L(T6L1,NQ Tietotaulukko
TJ80S04M3L(T6L1,NQ Kuvat
TJ80S04M3L(T6L1,NQ Hinta
TJ80S04M3L(T6L1,NQ Tarjous
TJ80S04M3L(T6L1,NQ Alin hinta
TJ80S04M3L(T6L1,NQ Hae
TJ80S04M3L(T6L1,NQ Ostaminen
TJ80S04M3L(T6L1,NQ Chip