TK100E06N1,S1X
MOSFET N CH 60V 100A TO-220
Osa numero
TK100E06N1,S1X
Valmistaja/merkki
Sarja
U-MOSVIII-H
Osan tila
Active
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-220-3
Toimittajan laitepaketti
TO-220
Tehonhäviö (maks.)
255W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
100A (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
2.3 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
140nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
10500pF @ 30V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 39670 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta TK100E06N1,S1X
TK100E06N1,S1X Elektroniset komponentit
TK100E06N1,S1X Myynti
TK100E06N1,S1X Toimittaja
TK100E06N1,S1X Jakelija
TK100E06N1,S1X Tietotaulukko
TK100E06N1,S1X Kuvat
TK100E06N1,S1X Hinta
TK100E06N1,S1X Tarjous
TK100E06N1,S1X Alin hinta
TK100E06N1,S1X Hae
TK100E06N1,S1X Ostaminen
TK100E06N1,S1X Chip