Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
TK14C65W,S1Q

TK14C65W,S1Q

MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
Osa numero
TK14C65W,S1Q
Sarja
DTMOSIV
Osan tila
Active
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Toimittajan laitepaketti
I2PAK
Tehonhäviö (maks.)
130W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
650V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
13.7A (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
250 mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 690µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 300V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±30V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 9211 PCS
Yhteystiedot
Avainsanat aiheesta TK14C65W,S1Q
TK14C65W,S1Q Elektroniset komponentit
TK14C65W,S1Q Myynti
TK14C65W,S1Q Toimittaja
TK14C65W,S1Q Jakelija
TK14C65W,S1Q Tietotaulukko
TK14C65W,S1Q Kuvat
TK14C65W,S1Q Hinta
TK14C65W,S1Q Tarjous
TK14C65W,S1Q Alin hinta
TK14C65W,S1Q Hae
TK14C65W,S1Q Ostaminen
TK14C65W,S1Q Chip