Osta Toshiba Semiconductor and Storage TK3A65D(STA4,Q,M) MOSFET N-CH 650V 3A TO-220SIS

Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.

Katso lisätietoja DataSheets

TK3A65D(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 650V 3A TO-220SIS

Osa numero

TK3A65D(STA4,Q,M)

Valmistaja/merkki

Toshiba Semiconductor and Storage

Sarja

π-MOSVII

Osan tila

Active

Pakkaus

Tube

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Käyttölämpötila

150°C (TJ)

Asennustyyppi

Through Hole

Paketti / kotelo

TO-220-3 Full Pack

Toimittajan laitepaketti

TO-220SIS

Tehonhäviö (maks.)

35W (Tc)

FET-tyyppi

N-Channel

FET-ominaisuus

Tyhjennys lähdejännite (Vdss)

650V

Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C

3A (Ta)

Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs

2.25 Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.4V @ 1mA

Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 25V

Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (max)

±30V

Pyydä tarjous

Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.

Varastossa 53673 PCS

Yhteystiedot

Liittyvät tuotteet

TK3A60DA(Q,M)