TK55S10N1,LQ
MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Osa numero
TK55S10N1,LQ
Valmistaja/merkki
Sarja
U-MOSVIII-H
Osan tila
Active
Pakkaus
Digi-Reel®
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Toimittajan laitepaketti
DPAK+
Tehonhäviö (maks.)
157W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
55A (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
6.5 mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 500µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
49nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
3280pF @ 10V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 42763 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta TK55S10N1,LQ
TK55S10N1,LQ Elektroniset komponentit
TK55S10N1,LQ Myynti
TK55S10N1,LQ Toimittaja
TK55S10N1,LQ Jakelija
TK55S10N1,LQ Tietotaulukko
TK55S10N1,LQ Kuvat
TK55S10N1,LQ Hinta
TK55S10N1,LQ Tarjous
TK55S10N1,LQ Alin hinta
TK55S10N1,LQ Hae
TK55S10N1,LQ Ostaminen
TK55S10N1,LQ Chip