Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
TPH8R80ANH,L1Q

TPH8R80ANH,L1Q

MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP
Osa numero
TPH8R80ANH,L1Q
Sarja
U-MOSVIII-H
Osan tila
Active
Pakkaus
Digi-Reel®
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
8-PowerVDFN
Toimittajan laitepaketti
8-SOP Advance (5x5)
Tehonhäviö (maks.)
1.6W (Ta), 61W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
8.8 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 500µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2800pF @ 50V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 13857 PCS
Yhteystiedot
Avainsanat aiheesta TPH8R80ANH,L1Q
TPH8R80ANH,L1Q Elektroniset komponentit
TPH8R80ANH,L1Q Myynti
TPH8R80ANH,L1Q Toimittaja
TPH8R80ANH,L1Q Jakelija
TPH8R80ANH,L1Q Tietotaulukko
TPH8R80ANH,L1Q Kuvat
TPH8R80ANH,L1Q Hinta
TPH8R80ANH,L1Q Tarjous
TPH8R80ANH,L1Q Alin hinta
TPH8R80ANH,L1Q Hae
TPH8R80ANH,L1Q Ostaminen
TPH8R80ANH,L1Q Chip