TPN3300ANH,LQ
MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
Osa numero
TPN3300ANH,LQ
Valmistaja/merkki
Sarja
U-MOSVIII-H
Osan tila
Active
Pakkaus
Cut Tape (CT)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
8-PowerVDFN
Toimittajan laitepaketti
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Tehonhäviö (maks.)
700mW (Ta), 27W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
9.4A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
33 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
880pF @ 50V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen chen_hx1688@hotmail.com, vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 41184 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta TPN3300ANH,LQ
TPN3300ANH,LQ Elektroniset komponentit
TPN3300ANH,LQ Myynti
TPN3300ANH,LQ Toimittaja
TPN3300ANH,LQ Jakelija
TPN3300ANH,LQ Tietotaulukko
TPN3300ANH,LQ Kuvat
TPN3300ANH,LQ Hinta
TPN3300ANH,LQ Tarjous
TPN3300ANH,LQ Alin hinta
TPN3300ANH,LQ Hae
TPN3300ANH,LQ Ostaminen
TPN3300ANH,LQ Chip