IRFB16N50KPBF
MOSFET N-CH 500V 17A TO-220AB
Osa numero
IRFB16N50KPBF
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-220-3
Toimittajan laitepaketti
TO-220AB
Tehonhäviö (maks.)
280W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
500V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
350 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
89nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2210pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±30V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 28799 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IRFB16N50KPBF
IRFB16N50KPBF Elektroniset komponentit
IRFB16N50KPBF Myynti
IRFB16N50KPBF Toimittaja
IRFB16N50KPBF Jakelija
IRFB16N50KPBF Tietotaulukko
IRFB16N50KPBF Kuvat
IRFB16N50KPBF Hinta
IRFB16N50KPBF Tarjous
IRFB16N50KPBF Alin hinta
IRFB16N50KPBF Hae
IRFB16N50KPBF Ostaminen
IRFB16N50KPBF Chip