IRFBC40LCPBF
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
Osa numero
IRFBC40LCPBF
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Active
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-220-3
Toimittajan laitepaketti
TO-220AB
Tehonhäviö (maks.)
125W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
600V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
6.2A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
1.2 Ohm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±30V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen chen_hx1688@hotmail.com, vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 37278 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IRFBC40LCPBF
IRFBC40LCPBF Elektroniset komponentit
IRFBC40LCPBF Myynti
IRFBC40LCPBF Toimittaja
IRFBC40LCPBF Jakelija
IRFBC40LCPBF Tietotaulukko
IRFBC40LCPBF Kuvat
IRFBC40LCPBF Hinta
IRFBC40LCPBF Tarjous
IRFBC40LCPBF Alin hinta
IRFBC40LCPBF Hae
IRFBC40LCPBF Ostaminen
IRFBC40LCPBF Chip