IRFL014PBF
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Osa numero
IRFL014PBF
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Discontinued at Digi-Key
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-261-4, TO-261AA
Toimittajan laitepaketti
SOT-223
Tehonhäviö (maks.)
2W (Ta), 3.1W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
2.7A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 19761 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IRFL014PBF
IRFL014PBF Elektroniset komponentit
IRFL014PBF Myynti
IRFL014PBF Toimittaja
IRFL014PBF Jakelija
IRFL014PBF Tietotaulukko
IRFL014PBF Kuvat
IRFL014PBF Hinta
IRFL014PBF Tarjous
IRFL014PBF Alin hinta
IRFL014PBF Hae
IRFL014PBF Ostaminen
IRFL014PBF Chip