IRFL110PBF
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Osa numero
IRFL110PBF
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Discontinued at Digi-Key
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-261-4, TO-261AA
Toimittajan laitepaketti
SOT-223
Tehonhäviö (maks.)
2W (Ta), 3.1W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
540 mOhm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
8.3nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
180pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 8436 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IRFL110PBF
IRFL110PBF Elektroniset komponentit
IRFL110PBF Myynti
IRFL110PBF Toimittaja
IRFL110PBF Jakelija
IRFL110PBF Tietotaulukko
IRFL110PBF Kuvat
IRFL110PBF Hinta
IRFL110PBF Tarjous
IRFL110PBF Alin hinta
IRFL110PBF Hae
IRFL110PBF Ostaminen
IRFL110PBF Chip