IRFL9110PBF
MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Osa numero
IRFL9110PBF
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Discontinued at Digi-Key
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-261-4, TO-261AA
Toimittajan laitepaketti
SOT-223
Tehonhäviö (maks.)
2W (Ta), 3.1W (Tc)
FET-tyyppi
P-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
1.1A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
1.2 Ohm @ 660mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
8.7nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
200pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 38689 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IRFL9110PBF
IRFL9110PBF Elektroniset komponentit
IRFL9110PBF Myynti
IRFL9110PBF Toimittaja
IRFL9110PBF Jakelija
IRFL9110PBF Tietotaulukko
IRFL9110PBF Kuvat
IRFL9110PBF Hinta
IRFL9110PBF Tarjous
IRFL9110PBF Alin hinta
IRFL9110PBF Hae
IRFL9110PBF Ostaminen
IRFL9110PBF Chip