IRLZ14SPBF
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
Osa numero
IRLZ14SPBF
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Active
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Toimittajan laitepaketti
D2PAK
Tehonhäviö (maks.)
3.7W (Ta), 43W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
8.4nC @ 5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
400pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 5V
Vgs (max)
±10V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 48464 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IRLZ14SPBF
IRLZ14SPBF Elektroniset komponentit
IRLZ14SPBF Myynti
IRLZ14SPBF Toimittaja
IRLZ14SPBF Jakelija
IRLZ14SPBF Tietotaulukko
IRLZ14SPBF Kuvat
IRLZ14SPBF Hinta
IRLZ14SPBF Tarjous
IRLZ14SPBF Alin hinta
IRLZ14SPBF Hae
IRLZ14SPBF Ostaminen
IRLZ14SPBF Chip