SI1900DL-T1-GE3
MOSFET 2 N-CH 30V SC70-6
Osa numero
SI1900DL-T1-GE3
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchFET®
Osan tila
Active
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Teho - Max
300mW, 270mW
Toimittajan laitepaketti
SC-70-6
FET-tyyppi
2 N-Channel (Dual)
FET-ominaisuus
Standard
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
630mA (Ta), 590mA (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
480 mOhm @ 590mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
1.4nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
-
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 12243 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SI1900DL-T1-GE3
SI1900DL-T1-GE3 Elektroniset komponentit
SI1900DL-T1-GE3 Myynti
SI1900DL-T1-GE3 Toimittaja
SI1900DL-T1-GE3 Jakelija
SI1900DL-T1-GE3 Tietotaulukko
SI1900DL-T1-GE3 Kuvat
SI1900DL-T1-GE3 Hinta
SI1900DL-T1-GE3 Tarjous
SI1900DL-T1-GE3 Alin hinta
SI1900DL-T1-GE3 Hae
SI1900DL-T1-GE3 Ostaminen
SI1900DL-T1-GE3 Chip