SI1905DL-T1-E3
MOSFET 2P-CH 8V 0.57A SC70-6
Osa numero
SI1905DL-T1-E3
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchFET®
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Cut Tape (CT)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Teho - Max
270mW
Toimittajan laitepaketti
SC-70-6 (SOT-363)
FET-tyyppi
2 P-Channel (Dual)
FET-ominaisuus
Logic Level Gate
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
8V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
570mA
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
600 mOhm @ 570mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
450mV @ 250µA (Min)
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
2.3nC @ 4.5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
-
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 39848 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SI1905DL-T1-E3
SI1905DL-T1-E3 Elektroniset komponentit
SI1905DL-T1-E3 Myynti
SI1905DL-T1-E3 Toimittaja
SI1905DL-T1-E3 Jakelija
SI1905DL-T1-E3 Tietotaulukko
SI1905DL-T1-E3 Kuvat
SI1905DL-T1-E3 Hinta
SI1905DL-T1-E3 Tarjous
SI1905DL-T1-E3 Alin hinta
SI1905DL-T1-E3 Hae
SI1905DL-T1-E3 Ostaminen
SI1905DL-T1-E3 Chip