SI1926DL-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6
Osa numero
SI1926DL-T1-E3
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchFET®
Osan tila
Active
Pakkaus
Digi-Reel®
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Teho - Max
510mW
Toimittajan laitepaketti
SC-70-6 (SOT-363)
FET-tyyppi
2 N-Channel (Dual)
FET-ominaisuus
Logic Level Gate
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
370mA
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 340mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
1.4nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
18.5pF @ 30V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 35842 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SI1926DL-T1-E3
SI1926DL-T1-E3 Elektroniset komponentit
SI1926DL-T1-E3 Myynti
SI1926DL-T1-E3 Toimittaja
SI1926DL-T1-E3 Jakelija
SI1926DL-T1-E3 Tietotaulukko
SI1926DL-T1-E3 Kuvat
SI1926DL-T1-E3 Hinta
SI1926DL-T1-E3 Tarjous
SI1926DL-T1-E3 Alin hinta
SI1926DL-T1-E3 Hae
SI1926DL-T1-E3 Ostaminen
SI1926DL-T1-E3 Chip