SI1967DH-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
Osa numero
SI1967DH-T1-E3
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchFET®
Osan tila
Active
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Teho - Max
1.25W
Toimittajan laitepaketti
SC-70-6 (SOT-363)
FET-tyyppi
2 P-Channel (Dual)
FET-ominaisuus
Logic Level Gate
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
20V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
1.3A
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
490 mOhm @ 910mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
4nC @ 8V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
110pF @ 10V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 49661 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SI1967DH-T1-E3
SI1967DH-T1-E3 Elektroniset komponentit
SI1967DH-T1-E3 Myynti
SI1967DH-T1-E3 Toimittaja
SI1967DH-T1-E3 Jakelija
SI1967DH-T1-E3 Tietotaulukko
SI1967DH-T1-E3 Kuvat
SI1967DH-T1-E3 Hinta
SI1967DH-T1-E3 Tarjous
SI1967DH-T1-E3 Alin hinta
SI1967DH-T1-E3 Hae
SI1967DH-T1-E3 Ostaminen
SI1967DH-T1-E3 Chip