SI5401DC-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8
Osa numero
SI5401DC-T1-E3
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchFET®
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Digi-Reel®
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
8-SMD, Flat Lead
Toimittajan laitepaketti
1206-8 ChipFET™
Tehonhäviö (maks.)
1.3W (Ta)
FET-tyyppi
P-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
20V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
5.2A (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
32 mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 4.5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 40654 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SI5401DC-T1-E3
SI5401DC-T1-E3 Elektroniset komponentit
SI5401DC-T1-E3 Myynti
SI5401DC-T1-E3 Toimittaja
SI5401DC-T1-E3 Jakelija
SI5401DC-T1-E3 Tietotaulukko
SI5401DC-T1-E3 Kuvat
SI5401DC-T1-E3 Hinta
SI5401DC-T1-E3 Tarjous
SI5401DC-T1-E3 Alin hinta
SI5401DC-T1-E3 Hae
SI5401DC-T1-E3 Ostaminen
SI5401DC-T1-E3 Chip