SI5476DU-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 12A PPAK CHIPFET
Osa numero
SI5476DU-T1-GE3
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchFET®
Osan tila
Active
Pakkaus
Digi-Reel®
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
8-PowerVDFN
Toimittajan laitepaketti
8-PowerPak® ChipFet (3x1.9)
Tehonhäviö (maks.)
3.1W (Ta), 31W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
34 mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 30V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 50554 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SI5476DU-T1-GE3
SI5476DU-T1-GE3 Elektroniset komponentit
SI5476DU-T1-GE3 Myynti
SI5476DU-T1-GE3 Toimittaja
SI5476DU-T1-GE3 Jakelija
SI5476DU-T1-GE3 Tietotaulukko
SI5476DU-T1-GE3 Kuvat
SI5476DU-T1-GE3 Hinta
SI5476DU-T1-GE3 Tarjous
SI5476DU-T1-GE3 Alin hinta
SI5476DU-T1-GE3 Hae
SI5476DU-T1-GE3 Ostaminen
SI5476DU-T1-GE3 Chip