SI7102DN-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
Osa numero
SI7102DN-T1-E3
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchFET®
Osan tila
Active
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-50°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
PowerPAK® 1212-8
Toimittajan laitepaketti
PowerPAK® 1212-8
Tehonhäviö (maks.)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
12V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
3.8 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 8V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
3720pF @ 6V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 10419 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SI7102DN-T1-E3
SI7102DN-T1-E3 Elektroniset komponentit
SI7102DN-T1-E3 Myynti
SI7102DN-T1-E3 Toimittaja
SI7102DN-T1-E3 Jakelija
SI7102DN-T1-E3 Tietotaulukko
SI7102DN-T1-E3 Kuvat
SI7102DN-T1-E3 Hinta
SI7102DN-T1-E3 Tarjous
SI7102DN-T1-E3 Alin hinta
SI7102DN-T1-E3 Hae
SI7102DN-T1-E3 Ostaminen
SI7102DN-T1-E3 Chip