SI7601DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8
Osa numero
SI7601DN-T1-GE3
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchFET®
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-50°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
PowerPAK® 1212-8
Toimittajan laitepaketti
PowerPAK® 1212-8
Tehonhäviö (maks.)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
FET-tyyppi
P-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
20V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
19.2 mOhm @ 11A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1870pF @ 10V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Vgs (max)
±12V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 11231 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SI7601DN-T1-GE3
SI7601DN-T1-GE3 Elektroniset komponentit
SI7601DN-T1-GE3 Myynti
SI7601DN-T1-GE3 Toimittaja
SI7601DN-T1-GE3 Jakelija
SI7601DN-T1-GE3 Tietotaulukko
SI7601DN-T1-GE3 Kuvat
SI7601DN-T1-GE3 Hinta
SI7601DN-T1-GE3 Tarjous
SI7601DN-T1-GE3 Alin hinta
SI7601DN-T1-GE3 Hae
SI7601DN-T1-GE3 Ostaminen
SI7601DN-T1-GE3 Chip