Osta Vishay Siliconix SI7716ADN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8

Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.

DataSheets

SI7716ADN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8

Osa numero

SI7716ADN-T1-GE3

Valmistaja/merkki

Vishay Siliconix

Sarja

TrenchFET®

Osan tila

Active

Pakkaus

Digi-Reel®

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Paketti / kotelo

PowerPAK® 1212-8

Toimittajan laitepaketti

PowerPAK® 1212-8

Tehonhäviö (maks.)

3.5W (Ta), 27.7W (Tc)

FET-tyyppi

N-Channel

FET-ominaisuus

Tyhjennys lähdejännite (Vdss)

30V

Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C

16A (Tc)

Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs

13.5 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

846pF @ 15V

Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (max)

±20V

Pyydä tarjous

Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.

Varastossa 16976 PCS

Yhteystiedot

Liittyvät tuotteet

SI7703EDN-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8

Vishay Siliconix

SI7703EDN-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8

Vishay Siliconix

SI7703EDN-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8

Vishay Siliconix

SI7703EDN-T1-GE3