Osta Vishay Siliconix SI7774DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.

DataSheets

SI7774DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Osa numero

SI7774DP-T1-GE3

Valmistaja/merkki

Vishay Siliconix

Sarja

SkyFET®, TrenchFET®

Osan tila

Obsolete

Pakkaus

Cut Tape (CT)

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Paketti / kotelo

PowerPAK® SO-8

Toimittajan laitepaketti

PowerPAK® SO-8

Tehonhäviö (maks.)

5W (Ta), 48W (Tc)

FET-tyyppi

N-Channel

FET-ominaisuus

Tyhjennys lähdejännite (Vdss)

30V

Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C

60A (Tc)

Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs

3.8 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs

66nC @ 10V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

2630pF @ 15V

Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (max)

±20V

Pyydä tarjous

Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.

Varastossa 51663 PCS

Yhteystiedot

Liittyvät tuotteet

SI7703EDN-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8

Vishay Siliconix

SI7703EDN-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8

Vishay Siliconix

SI7703EDN-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8

Vishay Siliconix

SI7703EDN-T1-GE3