Osta Vishay Siliconix SI7901EDN-T1-E3 MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8

Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.

Katso lisätietoja DataSheets

SI7901EDN-T1-E3

MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8

Osa numero

SI7901EDN-T1-E3

Valmistaja/merkki

Vishay Siliconix

Sarja

TrenchFET®

Osan tila

Obsolete

Pakkaus

Tape & Reel (TR)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Paketti / kotelo

PowerPAK® 1212-8 Dual

Teho - Max

1.3W

Toimittajan laitepaketti

PowerPAK® 1212-8 Dual

FET-tyyppi

2 P-Channel (Dual)

FET-ominaisuus

Logic Level Gate

Tyhjennys lähdejännite (Vdss)

20V

Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C

4.3A

Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs

48 mOhm @ 6.3A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 800µA

Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 4.5V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

Pyydä tarjous

Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.

Varastossa 35131 PCS

Yhteystiedot

Liittyvät tuotteet

SI7900AEDN-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8

Vishay Siliconix

SI7900AEDN-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8

Vishay Siliconix

SI7900AEDN-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8

Vishay Siliconix

SI7900AEDN-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8

Vishay Siliconix

SI7900AEDN-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8

Vishay Siliconix

SI7900AEDN-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8

Vishay Siliconix

SI7900AEDN-T1-GE3