SI7945DP-T1-E3
MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8
Osa numero
SI7945DP-T1-E3
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchFET®
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Cut Tape (CT)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
PowerPAK® SO-8 Dual
Teho - Max
1.4W
Toimittajan laitepaketti
PowerPAK® SO-8 Dual
FET-tyyppi
2 P-Channel (Dual)
FET-ominaisuus
Logic Level Gate
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
7A
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 10.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
74nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
-
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen chen_hx1688@hotmail.com, vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 34743 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SI7945DP-T1-E3
SI7945DP-T1-E3 Elektroniset komponentit
SI7945DP-T1-E3 Myynti
SI7945DP-T1-E3 Toimittaja
SI7945DP-T1-E3 Jakelija
SI7945DP-T1-E3 Tietotaulukko
SI7945DP-T1-E3 Kuvat
SI7945DP-T1-E3 Hinta
SI7945DP-T1-E3 Tarjous
SI7945DP-T1-E3 Alin hinta
SI7945DP-T1-E3 Hae
SI7945DP-T1-E3 Ostaminen
SI7945DP-T1-E3 Chip