SIA400EDJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A SC-70
Osa numero
SIA400EDJ-T1-GE3
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchFET®
Osan tila
Active
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
PowerPAK® SC-70-6
Toimittajan laitepaketti
PowerPAK® SC-70-6 Single
Tehonhäviö (maks.)
3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
19 mOhm @ 11A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1265pF @ 15V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Vgs (max)
±12V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 29336 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SIA400EDJ-T1-GE3
SIA400EDJ-T1-GE3 Elektroniset komponentit
SIA400EDJ-T1-GE3 Myynti
SIA400EDJ-T1-GE3 Toimittaja
SIA400EDJ-T1-GE3 Jakelija
SIA400EDJ-T1-GE3 Tietotaulukko
SIA400EDJ-T1-GE3 Kuvat
SIA400EDJ-T1-GE3 Hinta
SIA400EDJ-T1-GE3 Tarjous
SIA400EDJ-T1-GE3 Alin hinta
SIA400EDJ-T1-GE3 Hae
SIA400EDJ-T1-GE3 Ostaminen
SIA400EDJ-T1-GE3 Chip