SIA466EDJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 25A SC-70-6
Osa numero
SIA466EDJ-T1-GE3
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchFET®
Osan tila
Active
Pakkaus
Cut Tape (CT)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
PowerPAK® SC-70-6
Toimittajan laitepaketti
PowerPAK® SC-70-6 Single
Tehonhäviö (maks.)
3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
20V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
9.5 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
620pF @ 1V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 28987 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SIA466EDJ-T1-GE3
SIA466EDJ-T1-GE3 Elektroniset komponentit
SIA466EDJ-T1-GE3 Myynti
SIA466EDJ-T1-GE3 Toimittaja
SIA466EDJ-T1-GE3 Jakelija
SIA466EDJ-T1-GE3 Tietotaulukko
SIA466EDJ-T1-GE3 Kuvat
SIA466EDJ-T1-GE3 Hinta
SIA466EDJ-T1-GE3 Tarjous
SIA466EDJ-T1-GE3 Alin hinta
SIA466EDJ-T1-GE3 Hae
SIA466EDJ-T1-GE3 Ostaminen
SIA466EDJ-T1-GE3 Chip