SIHA17N80E-E3
MOSFET N-CHANNEL 800V 15A TO220
Osa numero
SIHA17N80E-E3
Valmistaja/merkki
Sarja
E
Osan tila
Active
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-220-3 Full Pack
Toimittajan laitepaketti
TO-220 Full Pack
Tehonhäviö (maks.)
35W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
800V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
290 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
122nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2408pF @ 100V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±30V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 50548 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SIHA17N80E-E3
SIHA17N80E-E3 Elektroniset komponentit
SIHA17N80E-E3 Myynti
SIHA17N80E-E3 Toimittaja
SIHA17N80E-E3 Jakelija
SIHA17N80E-E3 Tietotaulukko
SIHA17N80E-E3 Kuvat
SIHA17N80E-E3 Hinta
SIHA17N80E-E3 Tarjous
SIHA17N80E-E3 Alin hinta
SIHA17N80E-E3 Hae
SIHA17N80E-E3 Ostaminen
SIHA17N80E-E3 Chip