SIHA180N60E-GE3
MOSFET N-CH TO-220 FULLPAK
Osa numero
SIHA180N60E-GE3
Valmistaja/merkki
Sarja
E
Osan tila
Active
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Toimittajan laitepaketti
TO-220 Full Pack
Tehonhäviö (maks.)
33W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
600V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1085pF @ 100V
Vgs (max)
±30V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 37389 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SIHA180N60E-GE3
SIHA180N60E-GE3 Elektroniset komponentit
SIHA180N60E-GE3 Myynti
SIHA180N60E-GE3 Toimittaja
SIHA180N60E-GE3 Jakelija
SIHA180N60E-GE3 Tietotaulukko
SIHA180N60E-GE3 Kuvat
SIHA180N60E-GE3 Hinta
SIHA180N60E-GE3 Tarjous
SIHA180N60E-GE3 Alin hinta
SIHA180N60E-GE3 Hae
SIHA180N60E-GE3 Ostaminen
SIHA180N60E-GE3 Chip