SIHD240N60E-GE3
MOSFET N-CHAN 600V DPAK TO-252
Osa numero
SIHD240N60E-GE3
Valmistaja/merkki
Sarja
E
Osan tila
Active
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Toimittajan laitepaketti
D-PAK (TO-252AA)
Tehonhäviö (maks.)
78W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
600V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
240 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
783pF @ 100V
Vgs (max)
±30V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 25645 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SIHD240N60E-GE3
SIHD240N60E-GE3 Elektroniset komponentit
SIHD240N60E-GE3 Myynti
SIHD240N60E-GE3 Toimittaja
SIHD240N60E-GE3 Jakelija
SIHD240N60E-GE3 Tietotaulukko
SIHD240N60E-GE3 Kuvat
SIHD240N60E-GE3 Hinta
SIHD240N60E-GE3 Tarjous
SIHD240N60E-GE3 Alin hinta
SIHD240N60E-GE3 Hae
SIHD240N60E-GE3 Ostaminen
SIHD240N60E-GE3 Chip