SIHG120N60E-GE3
MOSFET E SERIES 600V TO247AC
Osa numero
SIHG120N60E-GE3
Valmistaja/merkki
Sarja
E
Osan tila
Active
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-247-3
Toimittajan laitepaketti
TO-247AC
Tehonhäviö (maks.)
179W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
600V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1562pF @ 100V
Vgs (max)
±30V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 36457 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SIHG120N60E-GE3
SIHG120N60E-GE3 Elektroniset komponentit
SIHG120N60E-GE3 Myynti
SIHG120N60E-GE3 Toimittaja
SIHG120N60E-GE3 Jakelija
SIHG120N60E-GE3 Tietotaulukko
SIHG120N60E-GE3 Kuvat
SIHG120N60E-GE3 Hinta
SIHG120N60E-GE3 Tarjous
SIHG120N60E-GE3 Alin hinta
SIHG120N60E-GE3 Hae
SIHG120N60E-GE3 Ostaminen
SIHG120N60E-GE3 Chip