SIHJ7N65E-T1-GE3
MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L
Osa numero
SIHJ7N65E-T1-GE3
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Active
Pakkaus
Digi-Reel®
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
PowerPAK® SO-8
Toimittajan laitepaketti
PowerPAK® SO-8
Tehonhäviö (maks.)
96W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
650V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
7.9A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
598 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
820pF @ 100V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±30V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 49826 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SIHJ7N65E-T1-GE3
SIHJ7N65E-T1-GE3 Elektroniset komponentit
SIHJ7N65E-T1-GE3 Myynti
SIHJ7N65E-T1-GE3 Toimittaja
SIHJ7N65E-T1-GE3 Jakelija
SIHJ7N65E-T1-GE3 Tietotaulukko
SIHJ7N65E-T1-GE3 Kuvat
SIHJ7N65E-T1-GE3 Hinta
SIHJ7N65E-T1-GE3 Tarjous
SIHJ7N65E-T1-GE3 Alin hinta
SIHJ7N65E-T1-GE3 Hae
SIHJ7N65E-T1-GE3 Ostaminen
SIHJ7N65E-T1-GE3 Chip