Osta Vishay Siliconix SIHU3N50DA-GE3 MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK

Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.

Katso lisätietoja DataSheets

SIHU3N50DA-GE3

MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK

Osa numero

SIHU3N50DA-GE3

Valmistaja/merkki

Vishay Siliconix

Sarja

Osan tila

Active

Pakkaus

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Through Hole

Paketti / kotelo

TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB

Toimittajan laitepaketti

IPAK (TO-251)

Tehonhäviö (maks.)

69W (Tc)

FET-tyyppi

N-Channel

FET-ominaisuus

Tyhjennys lähdejännite (Vdss)

500V

Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C

3A (Tc)

Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs

3.2 Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

177pF @ 100V

Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (max)

±30V

Pyydä tarjous

Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.

Varastossa 39928 PCS

Yhteystiedot

Liittyvät tuotteet

SIHU2N80E-GE3

MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK

Vishay Siliconix

SIHU2N80E-GE3

MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK

Vishay Siliconix

SIHU3N50D-E3