SIHW33N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AD
Osa numero
SIHW33N60E-GE3
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Active
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-3P-3 Full Pack
Toimittajan laitepaketti
TO-247AD
Tehonhäviö (maks.)
278W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
600V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
99 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
150nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
3508pF @ 100V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±30V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 6325 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SIHW33N60E-GE3
SIHW33N60E-GE3 Elektroniset komponentit
SIHW33N60E-GE3 Myynti
SIHW33N60E-GE3 Toimittaja
SIHW33N60E-GE3 Jakelija
SIHW33N60E-GE3 Tietotaulukko
SIHW33N60E-GE3 Kuvat
SIHW33N60E-GE3 Hinta
SIHW33N60E-GE3 Tarjous
SIHW33N60E-GE3 Alin hinta
SIHW33N60E-GE3 Hae
SIHW33N60E-GE3 Ostaminen
SIHW33N60E-GE3 Chip